出的结构是否满足设计要求以及它们是否处于可接受的误差范围内。因此，除怎样能够将材料刻制成特征尺寸在1-100 nm尺寸范围结构的问题外，还有两个重要的问题，那就是我们想要制备的哪些种类的新结构能充分利用在小尺度条件下所展现的量子效应，以及怎样表征所制备出来的结构。电子工业正面临双重挑战，首先要克服将器件尺寸缩小到100 nm以下的技术困难，第二个困难是需要发明新器件以便能够取代尺度缩小到其操作机制崩溃的现有器件。因为目前还不清楚哪种结构将能够取代现在的电子器件，尽管传统光刻技术在刻制纳米结构上的局限性，但现在谈论摒弃传统技术尚为之过早。光电子工业则面对相对容易的困难，它的困难主要集中在图形的刻制问题上。这仅仅影响器件有源区的尺寸以及几何结构，但不存在需要克服的在器件运行机制上的基本极限。随着光学有源区尺寸的缩小，崭新的光学现象很有可能被发现，这可能导致发明新的光电子器件。然而，不象电子工业发展那样需要寻找MOS晶体管的替代品，光电子工业并没有如此的立时尖锐问题需要迫切解决。纳米探测器和纳米传感器是一个全新的领域，目前还难以预测它的进一步发展趋势。然而，基于对崭新诊断技术的预期需要，我们有理由相信这将是一个快速发展的领域。总括起来，在所有三个主要领域里应用纳米结构所要求的共同点是对纳米结构的尺寸、材料纯度、位序以及成份的精确控制。一旦这个问题能够解决，就会有大量的崭新器件诞生和被研究。   
  
Acknowledgement : This work is supported by a grant from the Research Grants Council of the Hong Kong Special Administrative Region, China, Project No. CityU 7396/00P